doteraz monokryštalické kremíkové solárne panely sa rýchlo rozvíjali vo výskume aj industrializácii.

Spomedzi mnohých faktorov, ktoré ovplyvňujú bunky C-Si, zlepšenie kvality kremíkových plátkov robí objemovú rekombináciu stále menšou a menšou a vývoj nových pasivačných vrstiev a technológie ich prípravy výrazne znižuje povrchovú rekombináciu. Spomedzi nich sa rekombinácia kovovej elektródy a kontaktu C-Si stáva kľúčovým faktorom ovplyvňujúcim účinnosť článku a považuje sa za posledný limitujúci faktor blízko teoretického limitu účinnosti. Aby sa znížila rekombinácia v kontaktnom bode medzi kovom a C-Si, na jednej strane je plocha priameho kontaktu medzi kovom a C-Si znížená čiastočne otvorenými otvormi na zadnej strane článku (vrátane PERC, PERL, a PERT atď.). Aj keď je účinnosť konverzie 25% alebo blízko nej, stále existuje priamy kontakt medzi kovom a C-Si v týchto článkoch, proces otvárania zadnej strany je komplikovaný a spôsobí poškodenie kremíkového materiálu v otvore.

Okrem toho technika lokálneho otvárania spôsobuje, že nosiče sa nielen odchyľujú od migračnej dráhy kolmej na kontaktný povrch, ale môžu byť tiež preplnené pri otvore, čo vedie k strate faktora plnenia. Na druhej strane je potrebné vyvinúť nové kontaktné schémy, ktoré môžu dosiahnuť vynikajúcu povrchovú pasiváciu a oddelenie a transport nosičov bez potreby otvorov, t.j. pasivačných kontaktov selektívnych pre nosiče. Toto riešenie môže realizovať pasiváciu celého povrchu kremíkového plátku (vrátane kontaktnej plochy a bezkontaktnej plochy) a v tomto čase sú nosiče jednorozmerným transportom medzi elektródami na oboch koncoch, čo je výhodné pre získať vyšší faktor plnenia, a potom zlepšiť jeho účinnosť konverzie.